N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口

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产品分类

N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口

型号/规格：

FQP70N10

品牌/商标：

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式：

TO-220

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

管装

询价

产品信息

FQP70N10产品概述

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQP70N10产品特性

57A, 100V, RDS(on) = 23mΩ（值）@VGS = 10 V, ID = 28.5A栅极电荷低（典型值：85nC)
低 Crss（典型值150pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C结温额定值"

FQP70N10产品技术参数

数据列表	FQP70N10; TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装	50
包装	管件
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	QFET®

规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	57A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）	23 毫欧 @ 28.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）	4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	3300pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（值）	160W (Tc)
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220-3

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