深圳创芯佳业科技有限公司

(非本站正式会员)

深圳创芯佳业科技有限公司

营业执照:已审核身份证:已认证经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳

收藏本公司 人气:206585

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 身份证已审核
  • 会员类型:普通会员
  •  
  • 蔡先生 QQ:438425111
  • 电话:0755-83267774
  • 手机:13925253466
  • 主营:TI QQ:429192646
  • 电话:010-62532995
  • 地址:门市:深圳市福田区华强电子世界2号楼22C393室 公司:世纪汇大厦15层 / 北京门市:中发电子大厦3110展柜
  • 传真:0755-83267774
  • E-mail:438425111@qq.com
N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口
N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口
<>

N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口

型号/规格:

FQP70N10

品牌/商标:

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式:

TO-220

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

直插式

包装方式:

管装

产品信息

FQP70N10产品概述

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQP70N10产品特性

57A, 100V, RDS(on) = 23mΩ(值)@VGS = 10 V, ID = 28.5A栅极电荷低(典型值:85nC)
低 Crss(典型值150pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C结温额定值"

FQP70N10产品技术参数

数据列表 FQP70N10;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装  50
包装  管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 QFET®


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 57A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 23 毫欧 @ 28.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 160W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3