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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：6.5 A
Rds上漏源导通电阻：480毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：18 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：39 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
类型：初步
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：31 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：47 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：28 ns
典型起始延迟时间：14 ns
零件号别名：IRFR9120NTRPBF SP001557182
单位重量：4 g
特征
•超低导通电阻
•P通道
•表面贴装（IRFR9120N）
•直引线（IRFU9120N）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器
件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠
的器件，可广泛用于各种应用中。
D-Pak专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装
而设计。 直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。
在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-6.6 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ -10V |
-4.2 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
-26 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
40 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.32 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
士 20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy0 |
100 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentCD |
-6.6 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyCD |
4.0 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt a> |
-5.0 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |